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汕头市追远电子有限公司
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产品信息
2SK1859
种类: MOSFET
沟道类型: N
*大耗散功率 (Pd): 60
漏源电压 (Uds): 900V
栅源电压 (Ugs):
*大漏*电流 (Id): 6
*大工作温度 (Tj), °C:
导通上升时间 (tr):
输出电容 (Cd), pF:
静态的漏源*导通电阻 (Rds), Ohm: 2
封装形式: TO*FM
本公司经营*功放配对管、IGBT电磁炉管、行管、场效应、达林顿、可控硅、肖特基、快恢复、三端稳压等大*率管及其它电子元件.